智通财经APP获悉，TechInsights发文称，发现了台积电22ULL嵌入式RRAM(阻电存储器)芯片，低功耗无线物联网解决方案的领导者NordicSemiconductor推出的突破性nRF54LSoC器件采用了台积电的22ULL嵌入式RRAM(eRRAM)。

TechInsights拆解了FanstelEV-BM15EVKit，找到了NordicBT5.4SoCnRF54L15器件。自2019年以来，台积电提供了40纳米RRAM平台，现在的22纳米RRAM是台积电的第二代eRRAM。这是业界首个拥有最先进的22纳米CMOS技术的RRAM，可与嵌入式STT-MRAM相媲美。

eRRAM内存块密度为17.5bit/μm2，位线方向的RRAM层宽度为170纳米。RRAM存储层放置在metal3上。ReRAM使用电阻作为开关的基础。与STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新兴存储器件一起，ReRAM是取代嵌入式闪存(eFlash)的主要竞争者之一。ReRAM不受辐射的影响，具有很高的电磁耐受性，并且没有泄漏问题，因为它不是基于电荷的器件。