格隆汇3月13日|三星电子发布声明称，关于三星将在其HBM芯片生产中应用MR-MUF(批量回流模制底部填充)技术的传言并不属实。注：此前有消息称，三星计划采用SK海力士使用的MR-MUF封装工艺，替代部分其目前采用的非导电薄膜(NCF)技术。