格隆汇11月27日|业内人士透露，SK海力士正准备将2.5DFan-out封装技术集成到继HBM之后的下一代DRAM中。由于今年在高带宽内存(HBM)领域的成功表现，SK海力士对下一代芯片技术领域充满信心，似乎正在加紧努力，通过开发“专业”内存产品来确保技术领先地位。