财经网科技10月9日讯，据新浪科技消息，三星在SamsungFoundryForum2022活动中介绍了其内存路线图。
在即将到来的2023年，三星将进入1bnm工艺阶段，内存芯片容量将达到24Gb(3GB)-32Gb(4GB)，原生速度将在6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代GDDR7显存将在明年问世，因此AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。
此外，三星还进行了一些长远的设想，如2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速度。三星在此前的TechDay2022活动中指出，其第九代V-NAND正在开发中，计划于2024年量产。到2030年，三星设想NAND堆叠超过1，000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的1TbTLCV-NAND将于今年年底向客户提供。
