台积电2纳米制程路线图公布 与三星角力更趋白热化
时间:2022-07-11 00:00:00来自:中国经营报字号:T  T

芯片2纳米之争将比外界所预想的更为激烈。

就在半导体业界关注3纳米制程能否于今年内量产之际,围绕2纳米制程的议题热度又于近日升温。

领衔掀起这一话题风暴的,是目前稳坐全球晶圆代工龙头宝座的台积电。在近日举行的行业技术论坛上,台积电方面首度披露,外界关注的3纳米制程将在今年下半年试产,同时将花费1万亿元新台币(约合人民币2290亿元)扩大2纳米产能布局,并在2024年试产,2025年开始量产。

虽然并未言明提前透露下一代制程计划的意图,但外界都将其解读为向老对手三星的回应。作为目前全球晶圆代工市场上仅次于台积电的另一巨头,三星在去年底举行的全球代工论坛上率先公布,将在2025年量产2纳米制程芯片。

值得注意的是,根据计划,双方都将在2纳米工艺上采用新的纳米片晶体管(Gate-All-AroundFET,以下简称“GAA”)结构,以取代目前主流的鳍式场效应晶体管(FinFET)结构。相比于后者,GAA结构可以更为精确地减少漏电损耗,降低功耗。

唯一区别的是,为了胜过对手,三星更为“激进”地决定,将在3纳米上就抢先采用GAA结构工艺。而就在6月30日,三星方面官方宣布,基于GAA结构的3纳米制程芯片已开始初步生产。多位半导体业内人士向《中国经营报》记者表示,这一举动,将加剧目前双方在先进制程领域的竞争,并将2纳米之争推向比外界所预想的更为激烈的程度。

角力从3纳米开始

在今年上半年试产使用GAA结构的新工艺后,三星计划在2023年将其引入第二代3纳米芯片中。

虽然在台积电最新路线图公布后,业界关注的焦点已经转移到了最为前沿的2纳米上,但在实质上,这场制程战事的核心仍旧集中在3纳米。

“3纳米的GAA工艺能不能成功,将决定三星在2纳米能不能追上台积电。”CHIP全球测试中心中国实验室主任罗国昭向记者表示,如果不在3纳米上抢先使用GAA工艺,按照目前的市场格局,以及既有的竞争路径演进分析,三星追上台积电的可能性很小。

TrendForce数据显示,目前台积电的市场份额接近52.9%,而三星位居第二,市场份额为17.3%。罗国昭指出,当下的芯片代工已经变成一个资本与技术双密集型的产业,这也意味着行业的马太效应极强。以台积电目前的市场领先优势,三星与之相比,差距悬殊。因此,三星不如放手一搏,否则不要说赶超,甚至有可能被甩开更远。

同时,罗国昭表示,由于涉及调试与检验,在新制程之上再使用新结构,等于是双份的冒险,因此,三星需要在进入2纳米与台积电正面对决前,将3纳米作为一个检验新技术的尝试领域。“加上之前在5纳米上,三星便因为良率不过关影响过进度,所以这次提前可能更有必要。”罗国昭表示。

而即便是沿用老架构,制程换代对于台积电而言也同样不易。记者注意到,根据计划,台积电3纳米原本的量产时间是在2022年下半年。但据半导体业资深分析师郭明日前透露,台积电3纳米和4纳米改良版要到2023年才能实现大规模量产,将导致今年的iPhone新机也只能使用5纳米改良版和4纳米制程。

在投入力度上,三星也可谓一掷千金。财报显示,虽然2021年三星电子在半导体领域投资约337亿美元,与台积电约300亿美元投入相当,但在未来五年,三星则宣布将投资3600亿美元用于半导体先进制程,年均超700亿美元。对比之下,台积电2022年的预计开支则为400亿~450亿美元。

对此,半导体产业分析师季维认为,相比于三星,台积电更像是守成者的角色,且由于拥有苹果、高通、英特尔等大客户的重要订单,为了保证交货质量,在3纳米上沿用传统架构的路线相对更为稳妥,而三星则顾忌更少。

公开信息显示,相比于5纳米,三星的3纳米制程产品性能与电池效率分别提高了15%和30%,同时芯片面积减少了35%。在今年上半年试产使用GAA结构的新工艺后,三星计划在2023年将其引入第二代3纳米芯片中,并在2025年量产基于GAA结构的2纳米芯片。

搅局者英特尔

Yole研报预测,全球芯片代工市场2021年增长率达27%,预计2022年增长率仍将维持在20%以上。

台积电、三星激战正酣之际,尖端制程领域的觊觎者也在跃跃欲试。而这次扮演闯入者角色的,则是老牌巨头英特尔。自2021年提出IDM2.0战略后,英特尔瞄准了从7纳米至1.8纳米的多代制程研发计划,计划一年一代推进,其中2024年将量产2纳米制程,2025年量产1.8纳米制程。

对于英特尔的意图,季维分析称,随着5G、AI、手机、自动驾驶、高性能计算市场快速发展,先进制程芯片的需求也越来越大,虽然投入高,但一旦研发成功,利润回报也同样丰厚,并能就此掌握产业链的话语权与主动权。对于巨头们而言,这一诱惑力不言而喻。

根据去年公布的计划,英特尔将在美国亚利桑那州投资约200亿美元,新建两座晶圆制造工厂。而进入2022年以来,英特尔还宣布新增200亿美元在俄亥俄州再建两座新晶圆厂,并计划于2025年投产,同时以54亿美元收购全球第九大晶圆代工厂商高塔半导体。

对此,罗国昭表示,虽然英特尔的确有意在新制程领域抢占更多份额,但此前在10纳米和7纳米制程的跳票延期,让其公布的蓝图能否顺利

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