事件：公司发布2023年半年度报告，2023年H1公司实现营收2.40亿元，同比-66.42%；实现归母净利润-0.75亿元，同比-134.99%；实现扣非净利润-0.81亿元，同比-138.52%。分季度看，公司2023年Q2实现营收1.16亿元，同比-68.64%，环比-6.48%；实现归母净利润-0.41亿元，同比有所下降，环比-18.54%；实现扣非净利润-0.43亿元，同比-143.00%，环比-26.32%。

行业底部业绩承压，关注下游复苏及SLCNAND放量业需求疲软：2023年H1公司营收下降主因系存储行业景气度较低，公司的产品市场销售价格下滑。2023年H1公司毛利率为12.74%，同比-33.41pcts；净利率为-30.27%，同比-64.17pcts。主要系公司期间费用率大幅提升以及计提的资产减值损失、信用减值损失大幅增加所致；其中，2023年H1，公司计提的资产减值损失和信用减值损失合计影响公司合并利润总额7660.28万元，占公司净利润亏损额的105.62%。费用方面，2023年H1销售/管理/研发/财务费用率分别为4.56%/12.90%/34.94%/-20.44%，同比变动分别为+3.51/+8.76/+27.22/-14.14pcts。目前海外消费电子需求有所回暖，工业类应用需求较为平稳，公司产品价格已经企稳；其中，智能手环等消费电子产品对SLCNAND的需求量持续增长，从公司订单情况来看，下半年SLCNAND的出货量有望逐季改善。

产品矩阵持续完善，加码研发赋能未来增长：2023年H1公司持续加大研发投入，公司研发费用同比增长52.05%至0.84亿元，NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片产品技术“护城河”持续拓宽。NANDFlash产品方面，公司基于2xnm制程上持续开发新产品，不断扩充SLCNANDFlash产品线，各项新产品陆续进入研发设计、首次晶圆流片、晶圆测试、样品送样等阶段；先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成晶圆制造及功能性验证，正在进行晶圆测试及工艺调整。NORFlash产品方面，公司在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前，512Mb、1Gb大容量NORFlash产品方面已有样品完成可靠性验证；同时，55nm制程产线的各项新产品陆续进入研发设计、晶圆制造、样片验证等阶段。此外，车规产品方面，已有部分SLCNANDFlash及NORFlash通过AEC-Q100测试。

存储利基市场格局生变，国产替代大有可为：公司中报显示，根据WSTS发布的数据，2023年全球半导体市场，规模预计将达到5150.95亿美元，同比下降10.28%，其中存储市场规模预计为840.41亿美元,同比下降35.24%。在市场需求不明朗、库存高涨、业绩普遍亏损等因素叠加影响下，各大IDM广商纷纷出台减少产出、降低投资、放缓技术升级等措施来调节供需关系缓解价格下降趋势。公司中报指出，产能方面，根据IrendForce集邦咨询报道显示，三大IDM厂均已启动减产，三星、美光、SK海力士2023年第二季稼动率环比普遍下修。随着海外大厂逐步退出利基市场，国产厂商迎来发展机遇，中国大陆及中国台湾厂商逐步占据了利基型存储市场的主要份额。本士厂商近年来持续加大研发投入，竞争实力不断增强。周期性是半导体行业的常态，存储芯片行业作为强周期的行业，行业低谷不会长期持续。

根据公司中报，WSTS发布的数据显示，2024年存储市场规模预计为1203.26亿美元，较2023年上涨43.18%。随着大数据时代的向前推进，元宇宙、自动驾驶、人工智能等数据密集型应用技术不断涌现，有望引领数据存储浪潮。

未来随着市场景气度的回升和需求的逐渐恢复,国产替代趋势的日益加强，从全球范围来看，中国市场仍有较大机会。

维持“增持”评级：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，公司产品主要包括NANDFlash、NORFlash、DRAM、MCP，广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司聚焦存储芯片行业，以SLCNANDFlash产品作为业绩增长点，并持续对NORFlash、DRAM进行制程与容量的升级。

未来随着存储市场需求逐渐恢复，国产替代趋势日益加强，公司的SLCNAND产品有望为业绩增长注入全新动能。预估公司2023年-2025年归母净利润为2.08亿元、3.28亿元、4.76亿元，EPS分别为0.47元/股、0.74元/股、1.08元/股，对应PE分别为73X、46X、32X。

风险提示：存货跌价风险；委外加工及供应商集中度较高的风险；境外经营风险，技术升级导致产品迭代风险。