东微半导:高压超级结MOSFET龙头 发力IGBT打开成长空间
时间:2022-05-09 00:00:00来自:中信建投证券字号:T  T

公司主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS和FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、以及TGBT系列IGBT产品,应用领域包括以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。

功率半导体产业结构性缺货,作为超级结MOSFET龙头,公司产品供不应求。超级结MOSFET作为中大功率段高性能电能转换系统的核心器件,充分受益于全球新能源产业的高速发展,预计未来十年的市场规模将保持快速增长。18-19年是国内功率半导体行业加速发展的元年,疫情加剧国外半导体产能供给紧张局面,产业链向国内转移,国产替代进一步加速。今年以来国内疫情导致下游行业需求放缓,部分中低端功率芯片价格松动,但长期看功率半导体国产替代仍是主旋律,且应用于新能源汽车、光伏等新兴领域的高性能功率器件替换紧迫性更高,东微半导产品目前仍供不应求。

公司下游为高景气赛道,未来高速成长确定性强。2021年公司汽车及工业级应用收入占比超过60%,高于消费类收入,其中新能源汽车充电桩收入同比+190%、占比超20%,工业及通信电源收入同比+140%、占比超10%,逆变器收入同比+200%、占比约5%,车载充电机同比+900%左右、占比约5%。从传统燃油车发展到纯电动汽车,汽车半导体BOM成本将从490美元上升至950美元,其中功率半导体增量约460美元;100kW的充电桩需要的功率器件价值量在200-300美元;风力发电与太阳能光伏每GW发电量所需要的功率半导体是传统发电方式的数倍;MIMO天线系统所需的功率半导体价值量将从3G/4G时代的25美元左右上升到5G时代的100美元左右。

公司TGBT产品放量,新能源汽车、光伏领域前景广阔。公司的Tri-gate结构IGBT器件使用创新型器件结构设计实现了IGBT器件性能的大幅提升,公司的第一代650VTGBT芯片的电流密度超过400A/cm2,达到国际主流第七代IGBT的技术水平。2021年公司TGBT出货72.43万颗,实现销售额568.17万元。根据我们的测算,2025年国内新能源乘用车对应IGBT市场需求在162亿元,2025年全球光伏IGBT市场规模约100亿元。

公司营收结构进一步优化。2021年公司中低压屏蔽栅MOSFET产品实现营业收入2.06亿元,同比增长246.85%,目前公司多款中低压屏蔽栅MOSFET已经批量进入汽车领域。超级硅MOSFET营收较2020年增长432.63%。

公司优秀的产品竞争力带来华虹持续的代工产能保证。华虹是公司主要代工厂,至21年底华虹七厂12寸线产能6万片/月左右,预计至22年底进一步扩大至9.5万片/月,东微半导是华虹高压超级结MOSFET最大的客户之一,随着华虹七厂以及广州粤芯代工产能的逐步释放,公司有望保持高增长。

盈利预测:预计公司2022-2024年归母净利润分别为2.55、3.59和4.91亿元,首次覆盖,给与“买入”评级。

风险提示:代工厂扩产进度不及预期,芯片价格下跌

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