据报道，韩国技术信息部宣布该国研究团队利用可以代替现有DRAM或NAND闪存的新一代候选“铁电体存储器(FRAM)”，将存储芯片的存储容量提高了1000倍;同时通过对铁电体物质氧化铪施加3-4V的电压，致使原子之间的力量断裂，每个原子都可以自由移动，从而理论上可将线幅缩小至0.5纳米。
华创证券指出，现有半导体的最小线幅为5纳米，此次发现在理论上可以进一步减少到十分之一以下。从而“在相同的空间里储存1000倍以上的信息”。该项目负责人李准熙教授表示：“在原子中储存信息的技术，在不分裂原子的情况下成为半导体产业终极储存技术的几率很高。”值得注意的是，FRAM是现有的半导体材料，被认为商用化的可能性非常高。
上海贝岭存储芯片已形成系列产品，公司“铁电体存储器芯片”项目被列为国家技术创新重点新产品。
东方锆业旗下有氧化铪产品。
