智通财经APP获悉，中信建投发布研究报告称，HBM是限制当前算力卡性能的关键因素，海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开支，大力扩产并快速迭代HBM，预计2024年HBM3e24GB/36GB版本将量产/发布，内存性能进一步提高。HBM供需将持续紧俏，市场规模高速增长。通过分析生产工艺(TSV、键合等)和技术演进方向(先进制程、叠层)，封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向。

中信建投主要观点如下：

HBM是当前算力的内存瓶颈。存储性能是当下制约高性能计算的关键因素，从存储器到处理器，数据搬运会面临带宽和功耗的问题。

为解决传统DRAM带宽较低的问题，本质上需要对单I/O数据速率和位宽进行提升。HBM由于采用了TSV、微凸块等技术，DRAM裸片、计算核心间实现了较短的信号传输路径、较高的I/O数据速率、高位宽和较低的I/O电压，因此具备高带宽、高存储密度、低功耗等优势。即便如此，当前HBM的性能仍然跟不上算力卡的需求。

三大原厂持续加大研发投入，HBM性能倍数级提升。

随着技术的迭代，HBM的层数、容量、带宽指标不断升级，目前最先进的HBM3e版本，理论上可实现16层堆叠、64GB容量和1.2TB/s的带宽，分别为初代HBM的2倍、9.6倍和4倍。从Trendforce公布的HBMRoadmap来看，2024年上半年，海力士、三星、美光均会推出24GB容量的HBM3e，均为8层堆叠。2024年下半年，三家厂商将推出36GB版本的HBM3e，或为12层堆叠。此外，HBM4有望于2026年推出。

HBM制造集成前道工艺与先进封装，TSV、EMC、键合工艺是关键。

HBM制造的关键在于TSVDRAM，以及每层TSVDRAM之间的连接方式。目前主流的HBM制造工艺是TSV+Microbumping+TCB，例如三星的TC-NCF工艺，而SK海力士则采用改进的MR-MUF工艺，在键合应力、散热性能、堆叠层数方面更有优势。目前的TCB工艺可支撑最多16层的HBM生产，随着HBM堆叠层数增加，以及HBM对速率、散热等性能要求的提升，HBM4开始可能引入混合键合工艺，对应的，TSV、GMC/LMC的要求也将提高。

AI刺激服务器存储容量扩充，HBM需求强劲。

随着云计算厂商将更多资本开支投入AI基础设施，AI服务器ODM对2024年展望乐观，预计2024年AI服务器出货量继续大幅增长。相较于一般服务器而言，AI服务器多增加GPGPU的使用，以NVIDIAA100/H10080GB配置8张计算，HBM用量约为640GB，超越常规服务器的内存条容量，H200、B100等算力卡将搭载更高容量、更高速率HBM。

测算随着算力卡单卡HBM容量提升、算力卡出货量提升、技术迭代带来单GBHBM单价提升，2023年HBM市场规模为40亿美元，预计2024年增长至148亿美元，2026年增长至242亿美元，2023~2026年CAGR为82%。

目前HBM供应链以海外厂商为主，部分国内厂商打入了海外存储/HBM供应链。

国产HBM正处于0到1的突破期，HBM供应主要为韩系、美系厂商，国内能获得的HBM资源较少。随着国产算力卡需求快速增长，对于算力卡性能至关重要的HBM也有强烈的供应保障诉求和国产化诉求。建议关注：封测、设备、材料等环节。