据财联社报道，存储器产业走过寒冬谷底，随着生成式AI带动高带宽存储器(HBM)及DDR5需求暴增，存储器原厂集体减产动作将进入尾声。供应链指出，由于新制程升级带来产出单位面积减损及HBM需求上修，原厂产能利用率重回九成。
近日，HBM相关消息不断。2月27日，三星电子宣布，已成功开发12层HBM3E，计划于今年上半年开始量产，公司并未透露具体客户。2月26日，美光科技宣布，已开始量产HBM3E，其24GB8HHBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于NVIDIAH200TensorCoreGPU，该GPU将于2024年第二季度开始发货。2月23日，SK海力士副总裁KimKi-tae表示，2024年海力士旗下HBM产能已售罄;值得一提的是，此前美光在业绩会中也表示得益于生成式AI需求增长，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。天风证券预计，2024年或将是HBM扩产大年，HBM及先进封装材料的需求有望持续增长，产业链机遇值得关注。
