第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。(禁带宽度数值越大，则该种材料制成器件的耐高压能力越强)

同样是三代半导体材料，相比氮化镓，碳化硅更具备大规模量产条件的可用于制备功率器件。