上证报中国证券网讯据中新网8月3日消息,上海宝冶承建的国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待。

国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlashFAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。国家存储器基地的建立,以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。