士兰微公司对外投资进展公告:近期,士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。