国博电子(688375.SH):自主研发设计的GaN射频芯片已在有源相控阵T/R组件等产品中广泛应用
时间:2023-07-17 08:53:38来自:格隆汇字号:T  T

格隆汇7月17日|有投资者向国博电子(688375.SH)提问,“公司在第三代半导体的布局如何,对于公司T/R组件,有无布局上游芯片的计划?”

国博电子回复称,国博电子积极布局以氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体领域,拥有GaN射频芯片设计团队,自主研发设计的GaN射频芯片已在有源相控阵T/R组件等产品中广泛应用。

  • 浏览记录
  • 我的关注
  • 涨幅
  • 跌幅
  • 振幅
  • 换手率
loading...
  • 涨幅
  • 跌幅
  • 振幅
  • 换手率
loading...
本站郑重声明:所载数据、文章仅供参考,使用前请核实,风险自负。
© 2008 北京济安金信科技有限公司 北京合富永道财经文化传媒有限公司
京ICP备12044478号 版权所有 复制必究
本站由 北京济安金信科技有限公司 提供技术支持