近日，国产半导体设备厂商拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”)申请科创板上市已获受理。此次IPO，拓荆科技拟募集资金10亿元，其中3.99亿元和2.71亿元分别用于先进半导体设备的技术研发与改进项目和ALD设备研发与产业化项目，其余资金用于高端半导体设备扩产项目及补充流动资金。

《中国经营报》记者注意到，拓荆科技作为国内唯一一家产业化应用的离子体增强化学气相沉积(PECVD)、次常压化学气相沉积(SACVD)设备厂商，打破了国外厂商对国内市场的垄断，但拓荆科技在持续高研发投入情况下，已连续多年未见盈利。

打破国外垄断

拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。其主要聚焦于半导体薄膜沉积设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列。

薄膜沉积是芯片制造的核心工艺环节。随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。薄膜设备的发展支撑了集成电路制造工艺向更先进制程发展。

根据MaximizeMarketRe-search数据统计，2017~2020年全球半导体薄膜沉积设备市场规模的年复合增长率为11.2%。

但是，目前我国半导体设备整体仍依赖进口。根据中国电子专用设备工业协会数据统计，2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为17.5%。如仅考虑集成电路设备，国内自给率仅有5%左右。

其中薄膜沉积设备更是长时间被由AMAT、ASM、泛林半导体(Lam)、东京电子(TEL)等国际巨头垄断。2019年，ALD设备龙头东京电子和先晶半导体分别占据了31%和29%的市场份额，剩下40%的份额由其他厂商占据;而AMAT则基本垄断了PVD市场，占85%的份额，处于绝对龙头地位;在CVD市场中，AMAT全球占比约为30%，连同泛林半导体的21%和东京电子的19%，三大厂商占据了全球70%的市场份额。

不过，拓荆科技凭借长期技术研发和工艺积累，已然成为国内为数不多产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。

股东加持但盈利堪忧

根据SEMI统计，2020年中国大陆地区半导体设备销售规模达187.2亿美元，同比增长39%，首次超过中国台湾地区，成为全球第一大半导体设备市场。

国内的半导体厂商也受到了资本的青睐。拓荆科技亦如此，其股东国家集成电路基金、国投上海、中微公司分别持有公司26.48%、18.23%、11.2%的股权。公司董事长吕光泉持有50万股，占总股本的0.53%。

但这也造成了股权分散，拓荆科技股东持有股份数量均未超过总股本的30%，因此未有股东能够形成控股，导致拓荆科技目前处于无实际控制人的状态。

不仅如此，拓荆科技股东共青城盛夏和润扬嘉木之间还存在未结诉讼。目前这场诉讼尚在进行，拓荆科技因此受冻结的股份为6.57%。

拓荆科技表示，因涉及诉讼的股权占比较低，因此，润扬嘉禾与共青城盛夏之间的诉讼不构成本次发行上市的实质性法律障碍，也不会对业务经营造成重大不利影响。

凭借在市场上的优异表现，以及各路明星资本的加持，拓荆科技近几年营收实现了高速增长。2018~2020年，拓荆科技分别实现营业收入7064.40万元、25125.15万元、43562.77万元，年度复合增长率为148.32%。

值得注意的是，拓荆科技对政府的补助存在一定依赖，2018~2020年，拓荆科技收到的政府补助款项分别为4221.41万元、3686.86万元、25114.58万元，占各期经营活动现金流入小计的19.79%、13.50%、27.61%。

若扣除非经常性损益，拓荆科技归母净利润分别为-1.5亿元、-0.62亿元、-0.57亿元。

拓荆科技对此解释称，报告期内尚未实现盈利，主要由于半导体设备行业技术含量高，研发投入大，产品验证周期长，公司持续进行了大量的研发投入。2018年~2021年第一季度，公司研发费用分别为1.08亿元、0.74亿元、1.23亿元和0.27亿元，占各期营业收入的比例为152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。研发费用金额较高和占营收的比例较大，是公司亏损主要原因。

对于盈利前景等问题，记者致电致函拓荆科技方面，截至发稿未获回复。