证券时报e公司讯，捷捷微电(300623)2月21日在互动平台表示，公司已与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至至2月20日，公司拥有氮化镓相关实用新型专利2件，此外，公司还有3个发明专利，1个实用新型专利尚在申请受理中。